技术编号:3244533
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金刚石膜形成方法和它的膜形成夹具(jig),并且更特别的是,它涉及一种用于在金属材料的内表面上形成金刚石膜的膜形成技术,所述金属材料包括中空的主体和凹部。背景技术 金刚石在室温下具有大约5.5ev的能带隙(bandgap),并且除了机械、化学和热性能外,金刚石具有良好的半导体性能和光学性能,并且因此关注集中在作为半导体材料的金刚石上。如同已经公开了使用金刚石作为半导体材料的技术(参考JP-A 2002-298777(KOKAI)和JP-A 2...
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