Hdp cvd工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法技术资料下载

技术编号:3244693

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本发明涉及一种半导体制造工艺,特别是涉及一种HDP CVD工艺淀积 介质膜的方法。 背景技术HDP CVD (高密度等离子体化学气相淀积)工艺淀积介质膜具有在淀积 的同时进行刻蚀的特点,能够形成无空洞的填隙,因此被广泛应用于接触 孔的填隙及后道工序的介质填隙等。该工艺用于接触孔模块时主要淀积无 惨杂硅玻璃(USG)、氟硅玻璃(FSG)或是磷硅玻璃(PSG)。现有的采用HDP CVD工艺淀积介质膜主要包括下列步骤,请参阅图l 第1步,打开反应腔阀门。这一步中...
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