技术编号:3244699
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造设备,尤其是一种化学机械抛光研磨液的 供料装置。本发明还涉及一种研磨液的处理方法。 背景技术在化学机械抛光(CMP)工艺中,需要使用研磨液对硅片进行研磨。研 磨液中掺杂有研磨颗粒。研磨颗粒粒径的大小对研磨的效果非常重要,如 果粒径过大,会导致在硅片表面造成划伤。在一般情况下,研磨颗粒会发 生聚集,使得很多粒径较小的研磨颗粒聚集成粒径较大的研磨颗粒,从而 影响研磨的效果。为减少因研磨颗粒聚集造成的硅片表面划伤,现有的化 学机械抛光研磨...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。