技术编号:3244780
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种形成铸锭的方法,还涉及形成高纯度金属体的方 法。此外,本发明涉及形成溅射靶的方法和溅射靶的结构。另外,本 发明还涉及溅射反应器组件。特别地,本发明涉及溅射靶结构,其主 要由非磁性材料构成,或由非磁性材料构成。背景技术物理气相沉积(PVD)是一种用于半导体加工工艺形成薄层材料 的常用方法。PVD包括溅射过程。在PVD加工示例中,阴极靶暴露 于高强度粒子束下。高强度粒子束撞击靶表面,使材料从靶表面溅射 出,材料然后落到半导体基底,在整个基底形成材...
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