技术编号：3244957
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁控'践射非晶态及纳米微晶态各种功能薄膜的制备装置，特 别是一种制备非晶态及纳米微晶态薄膜的基片低温冷却装置。背景技术磁控賊射技术是一种被广泛采用的薄膜制备手段，其特点在于其制备的 膜层附着力好且膜层厚度易于控制，但是由于在溅射过程中靶材溅射成分原子(或分子)带有很高的定向动能(一般10ev-50ev)轰向基片，同时在溅 射过程中'溅射气氛处于等离子体状态，来自于阴极靶位附近电离区的电子， 在阴一阳极之间的电场加速作用下轰向基片，产生軔致辐射，这...
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