技术编号:3245063
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属有机化合物的化学气相淀积设备,并特别涉及用 于形成氮化物半导体层的金属有机化合物的化学气相淀积设备。背景技术金属有机化合物的化学气相淀积(MOCVD)方法是典型的化学气 相淀积工艺之一,其中III族有机金属在衬底的一个表面被蒸发然后热 分解,并与V族气体起反应来形成薄膜。这样的方法能够控制薄膜厚度 和成分,并且在生产率方面表现良好,以致于它被广泛地在制造半导 体设备中用作薄膜形成技术。用于该MOCVD方法的MOCVD设备包括一个腔室、配置在该...
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