技术编号:3245151
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种超导超薄薄膜材料的制备方法,特别是一种在MgO或Si 衬底上超薄NbN超导薄膜的生长方法。技术背景近十几年中,由于薄膜制备技术和微细加工技术的高速发展,大大促进了超 导热电子器件迅速发展,例如,应用于太赫兹高端(l-8THz)检测技术中的超 导热电子混频器(HEM),在近红外、红外以及可见光频段应用中表现出性能优 异的超导单光子检测器件(SSPD)等等。这些超导器件是基于超薄的几个纳米 厚度的超导薄膜的技术,并且具有亚微米和纳米级的器件尺寸。...
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