技术编号：3245330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。抛光垫和化学机械抛光装置背景技术随着半导体器件越来越集成化，通常使用多层工艺。在多层工艺 中使用光刻工艺，并且不断寻找更小的特征尺寸余量。为了最小化在 材料层上形成的线宽，对芯片上的材料层进行全局平坦化。目前，用于平坦化半导体器件的方法包括硼磷硅玻璃(BPSG)回流、铝(Al) 流、旋涂玻璃(SOG)回刻和化学机械抛光(CMP)。CMP使用浆体溶液中的化学成分和抛光垫中的物理成分来化学地 和机械地抛光芯片的表面，以进行平坦化。这使得CMP能够实现对大 面积...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。