技术编号：3245615
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在化学机械研磨时，监测金属层的方法和设备。 背景技术典型的集成电路是通过在硅晶圆基材上连续淀积导体层、半导体层或绝缘 层来制备。其制造步骤包括淀积填料层在非平坦面上，然后使该填料层平坦化 直到该非平坦面暴露出来为止。例如，导体填料层可被淀积到图案化的绝缘层 上，来填满绝缘层的凹陷处或坑洞。然后磨光该填料层，直到绝缘层的凸起图 案暴露出来为止。在平坦化之后，可于残存在绝缘层的凸起图案之间的部分导 体层中形成贯穿孔、拴塞和配线，以在基材的薄膜线路之间...
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