技术编号:3245646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般涉及例如发光二极管(LEDs)的器件的制造,更具 体地,涉及用于氢化物气相外延(HVPE)沉积的喷头设计。背景技术正在发现ni族氮化物半导体对于例如短波长发光二极管(LEDs)、激光 二极管(LDs),以及包括高功率、高频、高温晶体管和集成电路的电子器件等的各种半导体器件的发展和制造更加重要。用于沉积m族氮化物的一种方法是氢化物气相外延(HVPE)沉积方法。在HVPE中,卤化物与III族金 属反应以形成含金属前驱物(例如,金属氯化物)。该...
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