技术编号:3245703
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成无定形碳层的方法和形成低k值介电层的方法,并 且更具体地,涉及使用十字型烃类化合物作为前体形成无定形碳层的方 法和形成低k值介电层的方法。相关技术的讨论通常,使用含有烃类化合物的气体混合物和诸如Ar和He的惰性气 体,通过等离子体或热活化作用沉积无定形碳层。沉积的无定形碳层被 应用于仿生材料、有机发光二极管(OLED)、半导体集成电路、硬掩模等 各种领域。根据美国专利公开第US2006-0084280号(2006年4月20日)或美国 专利第7...
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