技术编号:3245739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种材料的薄膜制备方法,具体的说,涉及的是一种双 靶共溅射制备Zr掺杂IT0薄膜的方法。 背景技术掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide简称ITO)薄膜是光电性能较优异的透明 导电氧化物(TCO)薄膜,广泛应用于各种光电。IT0薄膜普遍存在热 稳定性差、还原气氛下结构不稳定和表面能低等问题,同时其光电性能也需进一 步提高,这些都限制了 IT0薄膜的应用。在实际的应用过程中,三元的IT0薄膜 难以满足各种性能的需要,目前多元复合体系透明导电薄...
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