技术编号：3245863
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于信息电子、功能材料领域，特别是提供了一种降低自旋阀薄膜 矫顽力的方法。背景技术自旋阀是在20世纪90年代初,由B. Dieny et al. J. Appl. Phys. 69, 4774 (1991)提出的一种实用化的巨磁电阻材料，它以其低饱和场，高灵敏度等优点率先进入 实用化阶段，在短短的几年内，就开发出一系列高灵敏度磁电子器件，在磁传感 器、计算机硬盘读头和磁电阻随机存储器(MRAM)等方面具有广阔的应用前 景。这种自旋阀结构利用外场下...
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