技术编号：3245936
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，且特别涉及一种改低压化学气 相沉积设备中粒子污染的方法。背景技术在半导体技术大发展的今天，低压化学气相沉积设备(LPCVD)广泛 的应用于多晶硅、二氧化硅以及氮化硅等薄膜的沉积。在LPCVD设备使 用过程中，工艺过程中温度和压力时常变化。随着反应管表面薄膜的累积 以及长时间温度、压力等参数的改变，导致薄膜变的越来越脆弱而容易剥 落。在设备内部的温度压力变化时，反应管表面比较脆弱的薄膜会因为温 度的冲击而剥落如该剥落发生在沉积过程中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。