技术编号:32461495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术领域,尤其设计一种半导体器件的加工方法及一种半导体器件。背景技术.在半导体加工领域中,高密度等离子体化学气相沉积薄膜填充对于半导体的加工至为重要。本领域目前的做法是用高密度等离子气体沉积二氧化硅来对沟槽进行薄膜填充。然而,在使用这种传统工艺对薄膜进行后续的化学机械研磨时,非常容易在有源区(active area,aa)结构稀疏的区域造成过度研磨,并产生碟型缺陷。此外,在这种传统的工艺中,往往还需要将半导体器件转移至增强型化学气相淀积设备中进行加工,存在加工工序复杂的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。