技术编号:3246378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于浅沟道隔离薄膜的氨基硅烷相关申请的交叉引用本专利申请要求07/11/2008提交的美国临时专利申请序号61/080,058的优先权。 背景技术目前,电子制M致力于由旋涂材料形成的均匀填充的高长宽比(HAR)沟 道,所述旋^^材料在IOO(TC、 60併中氧化环境下具有最小收缩(即<20%),产 生高质量热氧化物,获得具有压应力的材料,具有与热氧化物相当的电和机械性 能并且肖滩使多种特征平面化(planarizing)。考虑到线,OL)工艺前端,必...
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