技术编号:3247237
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种气相沉积设备,特别涉及一种三重气流金属有机物 化学气相沉积设备反应腔体。技术背景金属有机物化学气相沉积(M0CVD)技术集精密机械、半导体材料、真 空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度 高、价格昂贵、技术集成度高的高端半导体材料、光电子专用设备。M0CVD是 一种非平衡生长技术,其工作机理是通过源气体传输,使得III族烷基化合 物(TMGa、 TMIn、 TMA1、 二茂镁等)与V族氢化物(AsH3、 PH3...
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