技术编号:3247286
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于反应直流磁控溅射法,具体涉及一种用于反应直流磁控溅射 的制备多晶掺钼氧化锌透明导电氧化物薄膜的溅射靶。 背景技术透明导电氧化物(TCO)薄膜是一种高简并的半导体材料,以其独特的透明性与导电 性结合于一体而广泛应用于光电器件领域如平板显示器和太阳能电池。其中最具代表性的 材料是In203Sn(ITO)、 Sn02F和ZnOAl(AZO)薄膜。TCO薄膜材料一般具有高的载流子 浓度,费米能级(£》位于导带能级(£C)以上,电阻率可低至10—4Q*...
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