技术编号:3248226
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造^t支术领域,特别涉及一种化学气相沉积设备。 背景技术化学气相沉积(CVD)设备以其可制造薄膜均匀,覆盖性好特点成为半 导体器件制造工艺中的常用制膜设备,在CVD法中,先分解气态原料,然后 反应,从而沉积薄膜。化学气相沉积反应通常都在沉积设备的反应腔中进行的,化学气相沉积 设备的结构是多种多样的,例如申请号为200610078524.8的中国专利申请给出 的三种现有的化学气相沉积设备的结构图。但是,无论怎样的化学气相沉积 设备,都包...
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