技术编号:3248523
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及热电薄膜材料,具体涉及一种稀土掺杂的Bi2Te3基热电薄膜材料。 背景技术Bi2Te3基材料是典型的半导体制冷用热电材料之一,在微电子、光电子及许多高科 技领域有广泛的应用前景,近年来受到人们的广泛关注。Bi2Te3基热电薄膜材料对于实际 应用来说其热电性能仍然较低,有待于进一步提高。低维化和最优掺杂技术的发展为高性 能热电材料的研究开辟了新的途径,低维热电材料在电子和声子传输中通过量子尺寸效应 为热电性能的大幅度改善提供了可能。掺杂能够调整材料...
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