技术编号:3249108
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在对半导体晶圆等被处理体实施等离子处理、 成膜处理、蚀刻处理等时所使用的,特别 是涉及快速进行开始处理时的气体供给、气体种类的切换的处 理装置及处理方法。背景技术通常,为了制造半导体集成电路等半导体制品,例如要对 半导体晶圓反复实施成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、灰化(Ashing)处理,改良处理等各种处理。这样的各种处理从提 高制品成品率的观点来考虑,随着半导体制品的高密度化及高 微细化,要求进一步提高处理的晶圆面内均匀性,并且要求为 了提高...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。