技术编号:3249262
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术近年,伴随半导体装置的高集成化和高功能化,要求进行半导体装置的制 造工序中的微细加工技术的开发。特别是多层配线的形成工序中,对层间绝缘 膜或埋入配线等的平坦化技术变得非常重要。艮卩,通过绝缘膜或金属膜等的图案形成,在半导体晶片表面生成复杂的凹 凸。由该凹凸产生的阶差易随着配线的多层化而变大。因此,存在如果在半导 体晶片上进一步形成图案,则通过光刻法实施图案复制时的焦点深度变浅,无 法形成所要的图案等问题。因此,要求开发以高精度将半导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。