用于填充介电质间隙的处理室的制作方法技术资料下载

技术编号:3249273

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本发明涉及一种用于填充介电质间隙的处理室。 背景技术集成电路的芯片制造商是持续增加各个芯片上的电路组件的密度,因 此填充用以分隔该些组件的间隙变得更具挑战性。电路组件密度的增加是 使得相邻组件之间的宽度必要性地变短。当该些间隙的宽度的缩减较其高 度来得快速时,高度相对于宽度的比例(已知为深宽比;aspect ratio)是6成比例地增加。相对于浅及宽的间隙(即,低深宽比间隙),较不易在高 且窄的间隙(即,高深宽比间隙)中填充均 一 的介电材料膜层。填充高深...
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