技术编号:3250072
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及化学机械抛光(CMP)领域。具体来说,本发明涉及具有降 低浆液消耗的凹槽的CMP垫。背景技术在半导体晶片上的集成电路和其他电子器件的制造中,在晶片的表面上沉 积多层导电材料、半导体材料和介电材料,或者将多层导电材料、半导体材料 和介电材料从晶片的表面上蚀刻除去。这些材料的薄层可通过许多种沉积技术 沉积。现代晶片处理中常规的沉积技术包括物理气相沉积(PVD,也称为溅射)、 化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)和电化学...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。