技术编号:3251392
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于低温等离子体化学,涉及的是等离子体化学气相沉积中的用尘埃等离子体在常温下沉积碳化硅薄膜的装置。背景技术 尘埃等离子体,就是包含有尘埃颗粒的等离子体,又称为复杂等离子体,是由电子、离子、中性粒子和带负电的大尘埃颗粒组成的等离子体。由于等离子体中包含有大的带负电的尘埃颗粒,使其性质与普通等离子体有很大的不同,出现了许多新现象,如电子温度很高(能量在几十伏)等,也可以用电磁场来控制带负电的尘埃颗粒。碳化硅材料具有耐高温、抗辐射、高饱和电子漂移速度、高击...
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