技术编号:3251410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实施例涉及一种用于沉积多晶硅的化学气相沉积(CVD)装置,更具体地讲,涉及一种用于沉积多晶硅且没有单独的后续退火工艺的CVD装置。背景技术 通常,当硅(Si)沉积在玻璃基底上时,硅形成为多晶硅(P-Si)或者非晶硅(A-Si)。图1A和图1B分别示出了多晶硅和非晶硅的结构。在高于大约600℃的温度下,硅通常形成为多晶硅,在低于大约600℃的温度下,硅通常形成为非晶硅。与非晶硅相比,多晶硅结构稳定,并且多晶硅的电学、化学和机械性能优良。另外,图2A和图2B...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。