技术编号：3251473

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本发明大体上涉及半导体器件制造，具体而言，涉及在保持低漏电和高可靠性的同时以高产量淀积高介电常数(Hi-K)的介电层的方法以及形成的层。背景技术 在先进的半导体器件制造中目前采用高介电常数(Hi-K)的材料。例如，Hi-K材料是例如用在无源器件(特别是金属-绝缘体-金属的电容器)中的二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)的替代介电材料。这样的Hi-K材料依靠其较高的介电常数通过较厚的介电膜增加了电容密度。大体来说，满足100000通电小时(POH)的工...
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