技术编号:3251478
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的栅电极用金属膜和源/漏电极用金属膜的蚀刻组合物,更详细来说,本发明涉及下述蚀刻组合物,采用所述组合物,可以以下部膜Al-Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置(TFT LCD,thin film transistorliquid crystal display)的TFT的栅极配线材料Al-Nd/Mo双层膜或Mo/Al-Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻,并可以获得优异的锥度(taper),同时源极...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。