技术编号:3251492
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于化学气相淀积,特别涉及制备多层薄膜材料的连续化学气相淀积的方法与装置。背景技术现有的化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition,CVD)方法,是通过向反应腔中注入气态或能汽化的液态或固态源化合物,在被加热的衬底上进行反应,生长固态薄层材料或外延薄膜生长。据英国《材料科学进展》杂志(Progress in Materials Science,vol.48(2003)57-170)与《无机合成与制备化学》一书(徐如人,高等教育出...
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