技术编号:3251554
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种以氧化铝(Al2O3)为绝缘埋层的新型绝缘层上硅结构的衬底材料及制备方法,属于微电子学中半导体材料及制造工艺。目前传统的SOI材料是以SiO2作为绝缘埋层的。由于SiO2的热导性能很差(热导率仅为0.01W/(cm.K)),大大限制了SOI器件在高温与大功率电路中的应用。Al2O3作为一种性能优良的绝缘材料,能和硅形成热力学稳定的接触,而且Al2O3/Si界面具有较低的界面态密度、漏电流,同时Al2O3还具有较高的热导率(热导率为0.3W/(...
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