技术编号:3251574
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备ZnOZn薄膜的制备方法。背景技术 ZnO作为一种宽禁带半导体,在气敏、压敏、紫外探测、光催化净化等领域有广泛的应用,其优越的发光特性使其作为一种发光材料受到越来越广泛的关注,薄膜的制备和性能研究是目前研究的热点。ZnOZn薄膜的制备方法主要有化学气相沉积、磁控溅射、分子束外延、激光脉冲沉积、电子束蒸发等,这些方法虽然能够获得性能优良的薄膜,但是需要昂贵的设备和复杂的真空系统,因而制备成本较高。发明内容本发明的技术解决问题提供一种ZnOZ...
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