技术编号:3251612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及自锐性作用良好的。背景技术 对于表面上形成多个IC、LSI等器件的晶片,其背面被磨削而形成规定的厚度以后,由切割装置等分割成各个器件。所分割的器件被应用于各种电子设备中。作为磨削对象的晶片,其由硅、氮化硅、砷化镓、蓝宝石、钽酸锂、碳化硅等形成。另一方面,磨削磨具有陶瓷结合剂(vitrified bond)磨具、树脂结合剂磨具、金属结合剂磨具等,在这些磨具中,选择适合于晶片材料的磨具,并将其用于磨削。氮化硅、蓝宝石、以及碳化硅的硬度较高,因此在磨削...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。