技术编号:3251771
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用碱性蚀刻剂选择性并各向异性地蚀刻硅基底的湿式蚀刻。背景技术 已知对于这种湿式蚀刻,采用硅氧化物膜和硅氮化物膜的叠层(下文中称为硅氮化物/硅氧化物叠层)作为蚀刻掩模,以防止碱性蚀刻剂的渗透(例如,参见日本专利公告第2000-114248号)。根据本发明人的研究,已经发现在某些情况下,当通过形成透过硅氮化物/硅氧化物叠层的矩形掩模开口实施湿式蚀刻的时候,被蚀刻的硅区不是矩形的或者在硅氮化物/硅氧化物叠层中形成裂纹。图9和图10示出与发明者的研究相...
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