技术编号:3251964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种新的有机-金属前体材料,及利用它制备用于电容器电极的金属薄膜的方法,更具体地,本发明涉及一种能够容易分解而不与氧化剂反应的新的有机-金属前体材料,及利用它制备金属薄膜的方法。背景技术 通常,作为用于DRAM电容器的电极材料,或者作为用以阻挡半导体器件中的导线材料如铜Cu的扩散的扩散屏蔽薄膜材料,钌Ru已经引起了人们的注意。然而,为了沉积钌Ru,钌前体必须利用氧化剂如氧分解。这引起在沉积过程中氧经常陷入钌中的问题,其可以氧化与钌相邻的电极材料或...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。