技术编号:3252041
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明用于光电子器件制造,具体涉及 氮化镓(GaN)基功率型发光二极管(LED)制备过程 中, 一 种低损伤PECVD沉积致密Si02的方法。背景技术在制备GaN基LED的过程中,通常都要采用感应 耦合等离子体(ICP )干法刻蚀技术形成台面和电极, 一般刻蚀的比较深,因此,GaN基材料对掩蔽层材料高 的刻蚀选择比是非常重要的。目前,常用于ICP干法 刻蚀的掩膜主要有三种光刻胶、Si02/SiNx和Ni等金 属材料。光刻胶的制作工艺简单,但是光刻胶釆用...
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