技术编号:3252067
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种研磨装置,具体地说,涉及一种化学机械研磨装置。技术背景目前,集成电路中开始使用铜作为互连结构的金属材料,通常采用双大马士革镶嵌(Dual Damascene)工艺实现集成电路的铜互连。采用双镶嵌工艺制造集 成电路铜互连在将铜填充到导线沟槽中后均会采用化学机械研磨 (Chemical Mechanical Polish)使铜层平坦化,去除电介质层上多余的铜,让晶片 表面达到全面性的平坦化,以利后续进行薄膜沉积。化学机械研磨工艺通常包括三步。第一...
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