技术编号:3252511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别涉及六甲基二硅胺烷沉积装置。技术背景在微电子,采用电子束直写光刻加工具有纳米级的高分辨率的图形结构,是纳米加工的重要手段,其原理是光刻胶中的高分子材料受到 高能电子束的轰击发生断链(正胶)或者交联(负胶)等反应,在显影液中 的溶解性能发生改变,使爆光区域和未曝光区域的溶解速度产生差别,具有 较大分子量的区域溶解速度要比具有较小分子量的区域慢,快速溶解的区域 光刻胶被溶解掉,溶解速度较慢的区域光刻胶被保留下来,从而在后续刻蚀 工艺中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。