技术编号：3252751
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于真空溅射沉积技术，涉及一种对溅射镀膜方法的改进。背景技术在真空内进行薄膜沉积有许多种方法。有真空蒸镀法；分子束外延生长法；溅射镀膜法；离子束沉积和离子镀法等。溅射镀膜法又可以分直流溅射法和射频溅射法。直流溅射法包括直流磁控溅射法都是在靶面上施以负电位，气体电离后，正离子便会受负电位的吸引而轰击靶面而发生溅射。射频溅射法是在靶面上施以射频电位而发生溅射。它们共同的特点是采用电源的一个电极接到一个靶上，在靶面上形成负电位，而电源的另一电极接到真空室的...
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