技术编号:3253719
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种高致密、低成本SiC/Cu复合材料及其制备工艺。背景技术电子封装材料需要高导热和低膨胀性能。传统的电子封装材料主要是陶瓷和金属。其中陶瓷材料Al2O3、AlN、BeO等的热膨胀系数虽低,但导热性较差,而金属材料如Cu,Al虽然导热性较好,但热膨胀系数较高,都难以同时满足高导热和低膨胀要求。典型SiC颗粒的热膨胀系数为3.4×10-6/℃,弹性模量为450GPa,密度较低为3.2G/cm3,而铜的热导率高达397W/(m·℃),热膨胀系数仅为1...
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