技术编号:3254418
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)来沉积薄膜,特别是薄硅膜中的改进。更详细地,本发明涉及在现有技术中已知的平行板反应器中使用的沉积工艺的改进。背景技术通过低温PECVD生长的器件级氢化非晶硅(a_S1H)材料通常采用低压力、低损耗的沉积方式。通过使用具有高效喷淋式气体分配系统的合适的等温反应器来确保大范围均匀性,该喷淋式气体分配系统用于在整个衬底区域进入等离子区之前,在整个衬底区域上方控制气体预热和气体成分二者。在沉积期间的污染问题可以通...
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