技术编号：3254750
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及原子层沉积设备，具体涉及一种气体分配器及包括该气体分配器的原子层沉积设备。背景技术原子层沉积(ALD)方法的最大特点是表面反应是自限制的，单周期薄膜沉积过程中由以下几个步骤(1)第一种反应前驱体输入到衬底材料表面并通过化学吸附(饱和吸附)沉积在表面；(2)用惰性气体将多余的前躯体吹扫干净；(3)将当第二种前驱体通入反应腔，就会与己吸附于衬底材料表面的第一种前驱体发生反应。两种前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物，直到吸附在表面的第一种前驱体...
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