技术编号:3254791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在将半导体晶片等被研磨体表面的凹凸用化学机械研磨(CMP)平坦化之时所用的研磨垫,具体来说,涉及具有用于利用光学机构检测研磨状况等的窗(透光区域)的研磨垫及使用了该研磨垫的半导体器件的制造方法。背景技术在制造半导体装置时,进行在半导体晶片(以下也称作晶片)表面形成导电性膜并通过进行光刻、蚀刻等来形成配线层的工序;在配线层之上形成层间绝缘膜的工序等,在晶片表面会因这些工序而产生由金属等导电体或绝缘体构成的凹凸。近年来,虽然以半导体集成电路的高密度化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。