技术编号:3254938
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子材料与元器件,它特别涉及电子薄膜纳米界面以及通过界面形成器件的制备技术。背景技术 “纳米结”硅(Si)基片上依次采用通用的RF溅射镀制两种异质薄膜A和B,A的厚度定为1-100nm,B的厚度定为1-100nm,具体的结的厚度可由薄膜材料定,之后采用热扩散方法形成1-15nm的过渡区,该过渡区称之为“纳米结”,如图1所示。1995年左右,美国海军实验室M.Johson博士结合他在加州大学读博士的研究工作,提出全金属自旋晶体管的概念。95~98年...
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