技术编号:3255357
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及研磨方法及研磨装置,其通过将衬底的表面按压在研磨垫的研磨面上并使衬底的表面与研磨面彼此相对运动来研磨诸如半导体晶片的衬底的表面(待研磨面)。背景技术已知一种化学机械研磨(CMP Chemical Mechanical Polishing)装置,其通过如下方法将诸如半导体晶片的衬底的待研磨面研磨成平坦面,所述方法包括一边将被研磨头(衬底保持机构)保持的衬底的表面按压在贴附于研磨台的上表面的研磨垫的研磨面上,一边使研磨台和研磨头旋转以使衬底的表面与研...
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