技术编号:3255664
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子材料与器件,涉及黑硅材料表面金属电极的制备方法。背景技术黑硅材料最早是哈佛大学Mazur教授研究组利用飞秒激光在一定气体环境下照射单晶硅片表面时得到的。实验证明采用η型或P型单晶硅通过飞秒激光照射、电化学刻蚀、反应离子刻蚀、湿法腐蚀方法等都可以得到黑硅材料,且所得的黑硅表面包含准规则排列的微米量级的锥状结构,并具有高浓度的(1016 102°cm-3)硫族(或氧族)原子掺杂层。 这种经表面微观结构再构造的硅材料表面对250 2500n...
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