技术编号:3255833
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于透明导电氧化物薄膜,具体涉及一种P型透明导电掺锂氧化镍薄膜及其制备方法。背景技术透明导电氧化物薄膜已在平板显示器、太阳能电池、有机发光二极管和建筑玻璃等领域得到了广泛应用,广为人们熟知的有h203Sn (ITO), ZnO Al (AZO)和SnO2 = F (FTO)等,但它们都是η型薄膜,仅作为单一的电学或光学涂层使用,缺乏光学和电学性能与之匹配的P型透明导电薄膜材料而难以制备有源透明器件,进而阻碍了全透明电子器件的发展。1997年Kawaz...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。