技术编号:3255958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜沉积技术,涉及一种薄膜沉积装置,特别涉及一种热等离子体雾态气化制备薄膜的装置。背景技术 目前制备薄膜的方法很多,有真空蒸镀、溅射、激光闪蒸、分子束外延、气相沉积、溶胶-凝胶、喷雾热解法以及水热法等,其中MOCVD法制备薄膜沉积温度低,沉积速率高,制备的薄膜均匀,能生长多元多层复合薄膜,并能与半导体工艺兼容,因此广泛地用于制备铁电薄膜、超晶格材料。但由于MOCVD法所用的金属有机物源为高蒸气压的液体或气体,制备和提纯困难,目前制备的种类有限,在...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。