技术编号:32560108
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体材料制备技术领域,特别是涉及一种用于碳化硅晶体生长的坩埚。背景技术.碳化硅(sic)作为一种新兴的第三代半导体材料,具有优良的物理和电学特性。在电动汽车、轨道交通、智能电网、绿色能源等领域有着广泛的应用前景。.现有技术中,碳化硅采用物理气相传输工艺,在载有碳化硅籽晶层的载体上生长。具体地,是将碳化硅粉料和催化剂按照一定比例填入石墨坩埚中,将粘有碳化硅籽晶层的石墨盖盖在石墨坩埚的顶部,然后将盖有石墨盖的石墨坩埚装入生长炉的腔室中进行物理气相传输工艺,以获得碳化硅晶体。.然...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。