技术编号：3256035
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属薄膜生长与磁控溅射两个，是。背景技术钴具有良好的磁性能、电性能，常被用于磁记录材料或用作微磁器件中。应用于稳定性、可靠性要求更高的微磁器件时，对钴薄膜的形貌结构和性能提出了更高的要求。然而在不同的制备工艺条件下，生长得到不同的钴薄膜的表面形貌、组织结构及性能。目前制备钴薄膜主要有两种方法一是利用化学法制备金属钴薄膜，如电沉积法。 此方法常用钴的硫酸盐制备出形状不规则的钴纳米颗粒薄膜；另一种是利用物理气相沉积法(PVD)，如脉冲激光沉积法、离子...
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