技术编号:3256128
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,主要用于晶硅太阳能生产中氮化硅钝化膜的生产使用。背景技术目前,氮化硅膜广泛应用在晶硅太阳能的生产,它沉积在太阳光入射一面能够大大减少光在表面发射,同时它又能钝化硅电子结构,使光生电子寿命更长。两种效果都使电池片光电转换效率大大提升。随着太阳能发电的成熟,电池片制造成本需要越来越低,使发电成本降低,使用更加普及。降低每一步制造的成本包括沉积氮化硅的成本,是业界追求目标。氮化硅膜的形成可用等离子加强的气相沉积法(以下简称PECVD)和物理溅射沉...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。